【立尔讯】英特尔10nm技术亮相，吊打竞争对手，还有谁？

日前，Intel今天在北京举行了“精尖制造日”大会，会议上Intel正式向我们宣布了10nm制程一些技术细节，并且在全球范围内首次展出10nm的晶圆。

Intel表示，这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，实现了业内最高的晶体管密度（每平方毫米晶体管数量超过1亿个），领先其他10nm整整一代。

Intel自家的10nm工艺有信心完全胜过台积电、三星，另外还可能提供更加优秀的制程性能提升，而7nm工艺技术研发已经完成，并展望3nm极限工艺。

虽然Intel的10nm工艺来得晚，台积电、三星两家均已经进入了量产阶段，并且也有实际产品在市面流通，例如高通骁龙835 SoC。不过我们都知道台积电和三星在工艺制程命名上耍小聪明，也就是“数字”压制，在一些关键技术参数上都是落后于Intel技术指标的，之前的14nmm就出现过。

而这次Intel主动公布出三家10nm工艺相关技术参数指标，我们看到Intel在这些关键性技术指标上都是吊打其它竞争对手，例如由于intel 10nm光刻技术制造出来的鳍片、栅极间隔更小，因此在晶体管密度上几乎是台积电、三星的两倍，达到了每平方毫米1亿个晶体管，同时保持了逻辑单元高度低的优良传统，在3D堆叠上更有优势。

Intel即将发布的桌面级第八代酷睿代号为Coffee Lake依然是使用14nm工艺制造，14nm在Intel上已经整整用了三代之久，看来Intel在研发10nm工艺上花费了大力气才搞出来，以至于推出时间一拖再拖。10nm工艺最早应该会用在低功耗移动平台上，代号为Cannon Lake的处理器上，桌面版的代号应该就是Ice Lake无疑。

此外Intel在现场全球首秀了10nm晶圆，还介绍了Intel在工艺上的技术路线图，在路线图中显示10nm、7nm技术已经完成了研发，但是尚未投产。

而Intel已经对于硅基半导体极限工艺5nm、3nm进行前沿探索中，其中包括了一些比较先进、前沿具有探索性质的技术，包括了纳米线晶体管、III-V族晶体管，3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV团成形、神经元计算以及自旋电子学。这些项目有可能将会成为研发5/7nm工艺的关键性技术。

Intel表示，10nm技术将会在今年下半年正式量产。

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